據韓媒 The Elec 上周（11 月 27 日）報道，三星電子將在明年 2 月舉行的國際固態電路會議（ISSCC）上展示 HBM4。
據報道，三星這次計劃展示的 HBM4 容量為 36GB、帶寬 3.3TB/s，相比上個月展出的 36GB、2.4TB/s 的 HBM4 在帶寬上得到進一步提升，三星還通過堆疊結構與重新設計接口提升了速度和能效。
一位行業人士解釋道：“三星在每個通道上應用了硅通孔（TSV）路徑的對準信號（TDQS）自動校準技術，從而提高高速區間的信號準確度，針對 AI 大模型等高流量場景進行了優化”。
值得注意的是，三星的對手 SK 海力士也將在明年 2 月公開下一代存儲技術，有望一并展示單 Pin 速率達 14.4Gb/s 的 LPDDR6 內存，配備基于低壓差穩壓器（IT之家注：LDO）的 WCK 時鐘分配架構，可在超高速的情況下保持信號穩定，相比上一代 LPDDR5X 提升更高。
此外，SK 海力士還將公開展示 GDDR7 顯存，單 Pin 速度最高可達 48Gb/s，容量 24Gb，最大的特點就是可以將通道分成兩部分，可同時進行讀寫操作，面向 GPU、AI 邊緣推理、高分辨率游戲等場景。
作為參考，ISSCC 2026 將在明年 2 月 15 日至 2 月 19 日在美國舊金山舉行，其中的參會者大部分是企業研究人員，因此預計會有大量接近量產的新技術會在大會上首次亮相。 
